IXKK 85N60C
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
100
90
80
t p = 300μs
V GS = 10V
6V
5V
360
320
280
t p = 300μs
V GS = 10V
7V
70
60
240
200
6V
50
40
4.5V
160
30
20
120
80
5V
10
0
4V
40
0
0
0.5
1
1.5 2
V D S - Volts
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8 10
V D S - Volts
12
14
16
18
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D100 Value
vs. Junction Tem perature
100
90
80
70
60
t p = 300μs
V GS = 10V
5V
4.5V
2.8
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
t p = 300μs
50
40
1.6
1.3
I D = 60A
I D = 30A
30
20
10
0
4V
1
0.7
0.4
0
1
2
3 4
V D S - Volts
5
6
7
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
4
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
I D100 Value vs. I D
100
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.7
3.4
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
t p = 300μs
T J = 125oC
T J = 25oC
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
40
80
120 160 200 240
I D - Amperes
280
320
360
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100315c
3-4
相关PDF资料
IXKN40N60C MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
IXKN45N80C MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
IXKP10N60C5M MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
IXKP10N60C5 MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
IXKP13N60C5M MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
IXKP13N60C5 MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
IXKP20N60C5M MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
IXKP24N60C5M MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
相关代理商/技术参数
IXKN40N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET
IXKN40N60C 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKN45N80C 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKN75N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60C 功能描述:MOSFET 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP10N60C5 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP10N60C5M 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP13N60C5 功能描述:MOSFET 13 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube